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年产3000万颗深紫外LED芯片,中科潞安一期项目预计8月全部竣工验收

阅读次数: 添加时间:2020/04/08  作者:dgyadmin

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近日,山西中科潞安紫外光电项目,又传来了新进展。

据潞安集团官方消息,中科潞安紫外光电公司负责人表示,预计20208月底完成车间二楼封装中试线建设,一期3000万颗芯片生产线项目全部竣工验收,同时开展二期3亿颗项目的前期准备,争取下半年开工建设。

此外,中科潞安将进行氮化铝单晶生长和衬底技术研究紫外LED应用产品开发公共卫生安全杀菌消毒应用技术研究等一系列研发工作全力攻坚;完成紫外半导体光电产业投资基金设立,首期募资10亿元,推动长治光电产业集群建设。

中科潞安紫外项目于20184月启动,由长治市政府、中国科学院半导体研究所、潞安集团合作组建山西中科潞安半导体技术研究院,研究院主要开展芯片核心技术研发、封装技术研发与产业化、应用技术研发与工业设计、产品检验检测、行业标准制定等业务,并与政府相关部门共同组建紫外光电产业双创孵化基地

据中科潞安官微2019年消息显示,中科潞安深紫外LED项目分两期建设,总投资约20亿元。其中,一期工程为年产3000万颗紫外LED芯片项目,投资5.4亿元;二期工程为年产2亿颗紫外LED芯片项目,投资15亿元。结合最新官方消息来看,其二期项目紫外LED芯片年产目标或进行提升。

 



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