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据报道，美国科研人员研发出了一款名为“谐振隧穿二极管”的新型氮化镓基电子器件，其应用于5G技术峰值速率超越了预期。研究人员表示：“氮化镓基‘谐振隧穿二极管’比传统材料‘谐振隧穿二极管’的频率和输出功率都高，其速率快慢的关键在于采用了氮化镓材料。”该氮化镓基“谐振隧穿二极管”打破了传统器件的电流输出与开关速率的纪录，能使应用程序（包括通信、联网与遥感）获取毫米波范围内的电磁波以及太赫兹频率。

华创证券指出，作为第三代半导体材料，氮化镓凭借其本身高频低阻、高导热、耐高温、小体积等特点，在无线通信、汽车电子、电网、高铁、卫星通信、雷达、航空航天等领域应用中具备硅基无法比拟的优势。随着成本的降低，预计在氮化镓应用上有望获得重大突破，氮化镓有望逐步实现大规模产业化应用。氮化镓半导体器件相关公司主要有亚光科技、海特高新、台基股份、乾照光电等。