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据外媒报道，日本Nitride Semiconductors已开发出一款波长为365nm的UV LED芯片，并宣称是首个用于半导体和PCB制程曝光系统的紫外光源。

据悉，用于半导体制程的曝光系统目前仍使用紫外汞灯，存在待机时间长、工作寿命短、紫外光照度稳定性低、开关控制不便等功能性限制问题。另外，由于环境污染问题，预计《水俣公约》的实施将推动LED光源加快替代含汞光源。

Nitride Semiconductors表示，波长为365nm的新型NS365L-9RXT UV LED芯片具有效率高、节能且寿命长等特点，在正向电流If为3A，正向电压Vf为4.6V的条件下，紫外输出功率为3.2W。同时，这款UV LED结构非常紧凑，尺寸为9mm(长) x 9mm(宽) x 8.5mm(高)，因此安装密度更高。

新型UV LED还具有适用于半导体曝光的窄发光角。通常情况下，半导体制程为实现精准曝光，需要使用平行光。然而，由于UV LED光源发光角比较宽（约120°），用于曝光所获的光量往往不足。因此，通过结合深度反射镜与高透光率透镜，该公司实现了小于或等于15°的发光角。这表明UV LED有可能直接替换传统曝光系统所用的UV光源，无需购买新的UV LED曝光系统。(LEDinside Janice编译)